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作者:甘曉 來源:中國科學報 發布時間:2021/5/25 16:28:27
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科學家首次實現光開關分子納米磁體“磁滯”調控

 

分子納米磁體可以在分子水平保持磁化取向的狀態,有望成為未來信息存儲的新材料。其中,光開關分子納米磁體更被看好,而磁滯則是其發揮作用的關鍵。

日前,大連理工大學精細化工國家重點實驗室劉濤課題組利用[W(CN)8]3-單元與FeII自旋交叉基元配位組裝一維鏈,在光開關分子納米磁體磁滯研究中取得重要進展。

相關研究成果以“Switching the magnetic hysteresis of a [FeII–NC–WV]-based coordination polymer by photoinduced reversible spin crossover”為題,于北京時間2021年5月24日晚23時發表在Nature Chemistry上。

論文截圖

表現出磁滯的分子磁體具有對應于二進制中“0”和“1”的兩種磁性狀態,有望應用于高密度信息存儲基元、自旋電子學器件、分子傳感和量子計算等。

利用外界刺激對磁滯進行快速可逆開關,并使之與光、電等信號耦合,實現對磁性狀態的讀寫操作,在理論研究和應用研究方面均具有重要意義。

光誘導自旋激發態捕獲效應(LIESST)及其逆過程(RE-LIESST)不僅可以在飛秒尺度內切換金屬離子的高低自旋態,還可以引起自旋中心磁各向異性和磁交換作用等的改變,為光開關分子磁體磁滯提供了可能。

然而在現有的研究體系中,光調控分子納米磁體本征的磁滯行為仍沒有被觀測到。

[FeII–NC–WV]一維鏈分子結構(研究團隊供圖)

劉濤告訴《中國科學報》,磁滯的產生取決于材料分子層面上自旋中心的磁各向異性以及自旋中心之間的磁耦合作用。構筑具有磁滯的光響應分子納米磁體,不僅要兼顧不同自旋中心的磁各向異性和它們之間的磁交換作用,又要對光響應自旋轉變中心的配位環境進行精確調控,是一項極具挑戰的課題。

在前期工作中,課題組研究人員曾利用自旋轉變基元與多氰合鐵建筑單元定向組裝,成功構建了光誘導單鏈磁體,并觀測到特征的慢磁弛豫行為。然而受限于較弱的磁各向異性和磁交換作用,研究人員未能觀測到特征的磁滯回線。

“在最新的這項研究中,我們首先從結構上設計并制備了新的配合物。一方面引入具有強旋軌耦合作用的建筑單元,可以加強鏈內磁交換作用;另一方面篩選了配體,以滿足FeII離子的自旋態轉換特性。”劉濤介紹。

具體而言,研究人員巧妙選擇具有強旋軌耦合作用的八氰合鎢建筑單元(Bu4N)3WV(CN)8與FeII離子組裝強磁交換作用的一維鏈,利用長橋配體1,4-雙(1H-咪唑-1-基)苯與FeII離子配位構筑剛柔并濟的結構,獲得了一例光開關分子納米磁體。

一系列實驗證實,研究人員在結構上的設計實現了預期目標,并且觀測到磁滯回線。

變溫單晶X射線衍射與磁化率測試等分析表明,FeII離子保持自旋交叉行為。同位素富集57Fe穆斯堡爾譜實驗證實光誘導FeII自旋激發態捕獲行為。

a. 25 K條件下808-nm激光照射后配合物的穆斯堡爾譜圖;b. 25 K條件下473-nm激光照射后配合物的穆斯堡爾譜圖;c.808-和473-nm光照后配合物的磁滯回線;d.光調控FeII離子高低自旋態轉變和WV-FeII磁交換作用通道開關(研究團隊供圖)

808-nm和473-nm激光照射驅動FeII離子在低自旋態(S = 0)和高自旋態(S = 2)間的可逆轉換,并伴隨鏈內磁交換作用通道的打開與關閉,實現對光誘導單鏈磁體與單分子磁體行為的可逆切換。

此外,808-nm光誘導激發態在低溫下表現出明顯的磁滯回線,矯頑場高達1.9 T。473-nm激光照射引起FeII離子從順磁態到抗磁態轉變,磁交換作用通道被關閉,磁滯回線消失。

該類材料中,808-nm和473-nm激光照射驅動FeII離子在低自旋態(S = 0)和高自旋態(S = 2)間的可逆轉換(研究團隊供圖)

最后,研究人員認為,該項工作利用光誘導可逆自旋轉變首次實現了對光響應分子納米磁體磁滯行為開與關的調控,為設計基于自旋轉變單元的光響應功能分子材料提供了新思路。

相關論文信息:https://www.nature.com/articles/s41557-021-00695-1

 
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